TY  - BOOK
AU  - Wigger, Daniel
PY  - 2015
DA  - 2015//
TI  - Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren
AB  - Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.
UR  - http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9
UR  - http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9&pdf
UR  - http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9
LA  - German
N1  - vorgelegt von Daniel Wigger
ID  - 842230424
ER  -