TY  - BOOK
AU  - Böhmer, Jürgen Walter
PY  - 2013
DA  - 2013//
TI  - Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren
AB  - Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und Löcher zum Stromfluss bei. Auf Grund des Löcherstromes ist der Gradient der elektrischen Feldstärke höher als im stromlosen Zustand. Diese Gegebenheit führt zu unterschiedlichen Auswirkungen der Millerkapazität beim Abschalten von IGBT und MOSFET. Diese Arbeit zeigt, dass auftretende Effekte beim IGBT erläutert werden können, wenn anstelle eines Ersatzschaltbildes die direkt auftretenden Feldstärken betrachtet werden. Dazu kann das dreidimensionale Gebilde des IGBTs auf eine Dimension reduziert werden.
UR  - http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4
UR  - http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4&pdf
UR  - http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4
LA  - German
N1  - vorgelegt von Jürgen Walter Böhmer
ID  - 781882508
ER  -