TY  - BOOK
AU  - Hammes, David
PY  - 2021
DA  - 2021//
TI  - Kurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter
PB  - Universität Rostock
CY  - Rostock
AB  - Die Arbeit beschäftigt sich mit den auftretenden Halbleiterkurzschlüssen im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter. Sie haben den Nachteil, dass nach einem Durchbruch eines Halbleiters die Gefahr besteht, dass weitere Bauelemente zerstört werden und Folgeschäden entstehen. Daher hat die Arbeit die Aufgabe, alle möglichen Schaltkombinationen im Umrichter zur Erzeugung der drei Phasenausgangsspannungen zu untersuchen, welcher Durchbruch eines Halbleiters dabei eintreten kann, und welche Kurzschlüsse sich daraus schlussendlich ergeben werden.<ger>
UR  - http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00003458
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00003458-9
UR  - https://d-nb.info/1293536385/34
UR  - https://doi.org/10.18453/rosdok_id00003458
DO  - 10.18453/rosdok_id00003458
LA  - German
N1  - vorgelegt von David Hammes
ID  - 1787201392
ER  -