TY  - BOOK
AU  - Tran, Quang Tien
PY  - 2020
DA  - 2020//
TI  - Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristik
PB  - Universität Rostock
CY  - Rostock
AB  - In dieser Dissertation wird ein neuartiges RC-IGBT-Konzept, bezeichnet als RC-GID-IGBT, vorgeschlagen. Diese neue RC-IGBT-Struktur ermöglicht den Betrieb mit einem konventionellen IGBT-Gate-Treiber und hat im Diodenmodus eine so geringe Reverse-Recovery-Ladung wie eine State-of-the-Art-Freilaufdiode. Dies wird durch die Einführung dedizierter Bereiche für den Diodenmodus sowie eines Hilfs-Schottky-Emitters in den IGBT-Bereich erreicht, ohne negative elektrische Auswirkungen auf den IGBT-Modus zu erzeugen. Dadurch kann der neuartige RC-GID-IGBT den thermischen Vorteil vollständig ausnutzen.<ger>
UR  - http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-4
UR  - https://d-nb.info/1293663085/34
UR  - https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002994
DO  - 10.18453/rosdok_id00002994
LA  - German
N1  - vorgelegt von Quang Tien Tran
ID  - 1755134258
ER  -