TY  - BOOK
AU  - Münster, Patrick
PY  - 2019
DA  - 2019//
TI  - Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT
PB  - Universität Rostock
CY  - Rostock
AB  - Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.<ger>
UR  - http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-8
UR  - https://d-nb.info/1293659932/34
UR  - https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002696
DO  - 10.18453/rosdok_id00002696
LA  - German
N1  - vorgelegt von Patrick Münster
ID  - 1701104075
ER  -