TY  - BOOK
AU  - Krünägel, Hannes
PY  - 2020
DA  - 2020//
TI  - Dämpfung der Schaltoszillationen von SiC-Hochstrom-MOSFET
PB  - Universität Rostock
CY  - Rostock
AB  - In dieser Arbeit wird ein neuer Ansatz zur Dämpfung der parasitären Schwingungen an SiC-Hochstrom-MOSFETs vorgestellt. Der Dämpfungswiderstand wird dabei induktiv eingekoppelt. Dazu wird statt einem Dämpfungsglied mit Sekundärwicklung ein Dämpfungsglied bestehend nur aus einem Eisenpulverkern verwendet. Der Kern wird so gewählt, dass die Verluste bei Frequenz der Schaltschwingungen maximal sind. An einem 1200V-Modul wurde die Funktion dieses Ansatzes bei 200 A Laststrom nachgewiesen. Dieser einfache und günstige Ansatz erreicht eine gute Dämpfung bei moderater zusätzlicher Überspannung.<ger>
UR  - http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649
UR  - https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002649-4
UR  - https://d-nb.info/1293668710/34
UR  - https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002649
DO  - 10.18453/rosdok_id00002649
LA  - German
N1  - vorgelegt von Hannes Krünägel
ID  - 1694098249
ER  -