IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze
Fuhrmann, Jan
1986-
VerfasserIn
aut
Eckel, Hans-Günter
1963-
GutachterIn
oth
Kaminski, Nando
1968-
GutachterIn
oth
Domes, Daniel
1976-
GutachterIn
oth
Universität Rostock
Grad-verleihende Institution
dgg
Universität Rostock
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Grad verleihende Institution
dgg
text
theses
Text
Hochschulschrift
gw
2016
monographic
XA-DE
Rostock
Universität
publisher
2016
ger
1 Online-Ressource
In dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt, dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor ist, der den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt. In diesem IGBT treten verschiedene Kurzschlussfälle auf. Der Verlauf des Kurzschlusses und das Zusammenspiel der Leistungshalbleiter kann mit Hilfe eines Ersatzschaltbildes erklärt werden. Die Kurzschlussfallverläufe können anhand von Wirkungsketten dargestellt werden. Die Wirksamkeit dieser Fehlerstrombegrenzung wird an einem echten Ausfall demonstriert.<ger>
vorgelegt von M.Sc. Jan Fuhrmann aus Rostock
Dissertation Universität Rostock 2016
620
ZN 4850
53.51
http://rosdok.uni-rostock.de/resolve/urn/urn:nbn:de:gbv:28-diss2016-0089-5
IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze
Rostock : Universität, 2016
Druck-Ausgabe
(DE-627)863613969
Fuhrmann, Jan, 1986 -
urn:nbn:de:gbv:28-diss2016-0089-5
956494564
rda
DE-627
160811
86545759X
20251224T202431.0
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