Maßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefekten
Sämrow, Hagen
1979-
aut
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theses
Text
Hochschulschrift
gw
2013
monographic
XA-DE
2013
ger
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application/pdf
Online-Ressource Ill., graph. Darst.
Die fortschreitende Skalierung führt zur Verbesserung dynamischer Parameter einer integrierten Schaltung, aber auch zu Verschleißerscheinungen, die die Lebensdauer dieser Schaltungen allein durch den Betrieb signifikant begrenzen. Die vorliegende Arbeit stellt neue Ansätze auf Gatterebene zur Erhöhung der Zuverlässigkeit für kombinatorische integrierte Schaltungen hinsichtlich Gateoxiddefekten vor, die sich in einen standardisierten CMOS-Designablauf integrieren lassen. Des Weiteren befasst sich diese Arbeit mit der Entwicklung eines Simulators zur Analyse der Auswirkungen von Gateoxiddefekten.
vorgelegt von Hagen Sämrow
Rostock, Univ., Fak. für Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2014
621.395
621.3
ZN 4960
53.51
54.52
http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6
http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6&pdf
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6
Maßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefekten
2013
Druck-Ausgabe
(DE-627)814426352
Sämrow, Hagen, 1979 -
urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6
935808540
rakwb
DE-627
150212
817992502
20251224T194950.0
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(Revision 1.174 20250328)
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