Ein
Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren
Appel, Tobias Gerhard
1982-
aut
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theses
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Hochschulschrift
gw
2014
monographic
XA-DE
2014
ger
text/html
application/pdf
Online-Ressource Ill., graph. Darst.
Das Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine Größenordnung höhere Sperrschichtkapazität auf, da die Feldstärken im Halbleiter in gleichem Maße größer sind. Hierdurch wird beim Reverse Recovery eine bemerkenswerte Menge an Ladung messbar. Anhand von Messungen und Vergleichen ist dies deutlich zu erkennen. Dies wirkt sich auf das Schaltverhalten.
vorgelegt von Tobias Gerhard Appel
Rostock, Univ., Fak. für Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2014
621.3815284
621.3
ZN 4850
53.51
http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5
http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5&pdf
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5
Ein Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren
2014
Druck-Ausgabe
(DE-627)802473849
Appel, Tobias Gerhard, 1982 -
urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5
935760276
rakwb
DE-627
141127
806821280
20251224T194019.0
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(Revision 1.174 20250328)
ger