Untersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der Leistungselektronik
Aluminium-Silizium-Barrieren
Plappert, Mathias Karl Heinrich
1985-
aut
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theses
Text
Hochschulschrift
gw
2014
monographic
XA-DE
2014
ger
text/html
application/pdf
Online-Ressource Ill., graph. Darst.
Die vorliegende Arbeit untersucht WTi- und WTiN-Diffusionsbarrieren. Die werkstoffphysikalischen Eigenschaften werden in Abhängigkeit des Sputterprozesses umfangreich evaluiert. Dies geschieht sowohl experimentell, theoretisch als auch simulativ. Der Einfluss der Dünnschichtcharakteristika auf die Barrierenstabilität wird mit Hilfe von Beschleunigungstests und analytischen Methoden ermittelt. Die Integration von langzeitstabilen Diffusionsbarrieren auf Leistungshalbleitern ist ein weiterer Bestandteil dieser Arbeit.
vorgelegt von Mathias Karl Heinrich Plappert
Rostock, Univ., Fak. für Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2014
621.38152
621.3 530
ZN 4800
53.55
33.72
http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0184-9
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Untersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der Leistungselektronik
2014
Druck-Ausgabe
(DE-627)798615125
Plappert, Mathias Karl Heinrich, 1985 -
urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0184-9
935760125
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DE-627
141127
80681988X
20251224T194018.0
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(Revision 1.174 20250328)
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