Ladungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTs
Insulated gate bipolar transistors
Schumann, Jörg
1974-
aut
text
theses
Text
Hochschulschrift
gw
2014
monographic
XA-DE
2014
ger
text/html
application/pdf
Online-Ressource Ill., graph. Darst.
Das Ladungsträgerextraktionsmodell wird vorgestellt. Es ermöglicht Abschaltsimulationen von IGBTs. Die Ladungsträgerverteilung ist in einer Dimension entlang des IGBTs beschrieben und ermöglicht ein physikalisch korrektes Verhalten. Die nötigen Parameter können zerstörungslos ausgemessen werden. Besonders vorteilhaft ist, dass ein Abgleich des Simulationsmodells in Abhängigkeit der Betriebsbedingungen wie z.B. der Schaltgeschwindigkeit nicht erforderlich ist und kritsche Schaltbedingungen beherrscht werden können. So sind Ansteuerschaltungen für IGBTs kostengünstig entwickelbar.
vorgelegt von Jörg Schumann
Rostock, Univ., Fak. für Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2014
621.381528
621.3
ZN 4850
53.51
http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3
http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3&pdf
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3
Ladungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTs
2014
Druck-Ausgabe
(DE-627)789690187
Schumann, Jörg, 1974 -
urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3
935601179
rakwb
DE-627
140912
796664544
20251224T192344.0
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(Revision 1.174 20250328)
ger