Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren
Böhmer, Jürgen Walter
1982-
aut
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theses
Text
Hochschulschrift
gw
2013
monographic
XA-DE
2013
ger
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Online-Ressource graph. Darst.
Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und Löcher zum Stromfluss bei. Auf Grund des Löcherstromes ist der Gradient der elektrischen Feldstärke höher als im stromlosen Zustand. Diese Gegebenheit führt zu unterschiedlichen Auswirkungen der Millerkapazität beim Abschalten von IGBT und MOSFET. Diese Arbeit zeigt, dass auftretende Effekte beim IGBT erläutert werden können, wenn anstelle eines Ersatzschaltbildes die direkt auftretenden Feldstärken betrachtet werden. Dazu kann das dreidimensionale Gebilde des IGBTs auf eine Dimension reduziert werden.
vorgelegt von Jürgen Walter Böhmer
Rostock, Univ., Fak. für Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2014
621.381528
621.3
ZN 4850
53.51
http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4
http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4&pdf
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4
Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren
2013
Druck-Ausgabe
(DE-627)78058211X
Böhmer, Jürgen Walter, 1982 -
urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4
935379143
rakwb
DE-627
140331
781882508
20251224T190934.0
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ger