Die
Kurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode insulated-gate bipolar transistor
Hammes, David
1989-
VerfasserIn
aut
Eckel, Hans-Günter
1963-
AkademischeR BetreuerIn
dgs
Bernet, Steffen
1963-
AkademischeR BetreuerIn
dgs
Krug, Dietmar
1974-
AkademischeR BetreuerIn
dgs
Universität Rostock
Grad-verleihende Institution
dgg
Universität Rostock
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Grad-verleihende Institution
dgg
text
theses
Text
Hochschulschrift
gw
2021
monographic
XA-DE
Rostock
Universität
publisher
2021
Rostock
Universitätsbibliothek
distributor
ger
1 Online-Ressource
Die Arbeit beschäftigt sich mit den auftretenden Halbleiterkurzschlüssen im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter. Sie haben den Nachteil, dass nach einem Durchbruch eines Halbleiters die Gefahr besteht, dass weitere Bauelemente zerstört werden und Folgeschäden entstehen. Daher hat die Arbeit die Aufgabe, alle möglichen Schaltkombinationen im Umrichter zur Erzeugung der drei Phasenausgangsspannungen zu untersuchen, welcher Durchbruch eines Halbleiters dabei eintreten kann, und welche Kurzschlüsse sich daraus schlussendlich ergeben werden.<ger>
The work deals with semiconductor short circuits occurring in the three-level Active-Neutral-Point-Clamped converter. They have the disadvantage that after a breakdown of a semiconductor, there is the danger that further components are destroyed, and consequential damage occurs. Therefore, the work has the task of investigating all possible switching combinations in the converter to generate the three-phase output voltages, which breakdown of a semiconductor can occur, and which short circuits will finally result from it.<eng>
vorgelegt von David Hammes
GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Steffen Bernet (Universität Dresden) ; Dietmar Krug (Siemens AG Industry)
Dissertation Universität Rostock 2022
600
620
621.3
621.317
621.3
53.51
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00003458
https://doi.org/10.18453/rosdok_id00003458
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00003458-9
https://d-nb.info/1293536385/34
Die Kurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter
Rostock, 2022
Druckausgabe
(DE-627)1787367967
Hammes, David, 1989 -
urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00003458-9
10.18453/rosdok_id00003458
1293655228
rda
DE-627
220126
1787201392
20251226T200748.0
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(Revision 1.174 20250328)
ger