Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristik
Insulated-Gate Bipolar Transistor
Tran, Quang Tien
1984-
VerfasserIn
aut
Eckel, Hans-Günter
1963-
AkademischeR BetreuerIn
dgs
Kaminski, Nando
1968-
AkademischeR BetreuerIn
dgs
Baburske, Roman
1980-
AkademischeR BetreuerIn
dgs
Universität Rostock
Grad-verleihende Institution
dgg
Universität Rostock
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Grad-verleihende Institution
dgg
text
theses
Text
Hochschulschrift
gw
2020
monographic
XA-DE
Rostock
Universität
publisher
2020
Rostock
Universitätsbibliothek
distributor
ger
1 Online-Ressource
In dieser Dissertation wird ein neuartiges RC-IGBT-Konzept, bezeichnet als RC-GID-IGBT, vorgeschlagen. Diese neue RC-IGBT-Struktur ermöglicht den Betrieb mit einem konventionellen IGBT-Gate-Treiber und hat im Diodenmodus eine so geringe Reverse-Recovery-Ladung wie eine State-of-the-Art-Freilaufdiode. Dies wird durch die Einführung dedizierter Bereiche für den Diodenmodus sowie eines Hilfs-Schottky-Emitters in den IGBT-Bereich erreicht, ohne negative elektrische Auswirkungen auf den IGBT-Modus zu erzeugen. Dadurch kann der neuartige RC-GID-IGBT den thermischen Vorteil vollständig ausnutzen.<ger>
In this dissertation, a novel Trench RC-IGBT concept, called RC-GID-IGBT, is proposed. This new RC-IGBT structure allows operation with a conventional IGBT gate drive and has reverse recovery charge in diode operating mode as low as a state-of-the-art freewheeling diodes. This is achieved by introducing dedicated areas for the diode operation as well as an auxiliary schottky emitter into the IGBT chip without generating negative electrical effects on the IGBT mode. As a result, the novel RC-GID-IGBT can take full advantage of the thermal benefit.<eng>
vorgelegt von Quang Tien Tran
GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik) ; Nando Kaminski (Universität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente) ; Roman Baburske (Infineon Technologies AG, Neubiberg)
Dissertation Universität Rostock 2021
530
621.3
621.381528
621.3
53.30
53.35
53.51
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994
https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002994
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-4
https://d-nb.info/1293663085/34
Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristik
Rostock, 2021
Druck-Ausgabe
(DE-627)1755329032
Tran, Quang Tien, 1984 -
urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-4
10.18453/rosdok_id00002994
1246288101
rda
DE-627
210416
1755134258
20251226T193037.0
Converted from MARCXML to MODS version 3.8 using MARC21slim2MODS3-8_XSLT1-0.xsl
(Revision 1.174 20250328)
ger