Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT
Münster, Patrick
1987-
VerfasserIn
aut
Eckel, Hans-Günter
1963-
AkademischeR BetreuerIn
dgs
Bakran, Mark-Matthias
1968-
AkademischeR BetreuerIn
dgs
Krafft, Eberhard Ulrich
1970-
AkademischeR BetreuerIn
dgs
Universität Rostock
Grad-verleihende Institution
dgg
Universität Rostock
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Grad-verleihende Institution
dgg
text
theses
Text
Hochschulschrift
gw
2019
monographic
XA-DE
Rostock
Universität Rostock
publisher
2019
Rostock
Universitätsbibliothek
distributor
ger
eng
1 Online-Ressource
Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.<ger>
The major topics of this thesis are investigations regarding the Self Turn-on. The dynamic feedback between the power- and the control-path of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) depends on the collector-current and influences the switching and short-circuit behaviour. This is caused by an intrinsic controlled displacement current between the IGBT’s drift-region and its gate-junction. The physics behind this effect are based on a local change of the charge-carrier density in the drift-region below the gate-electrode.<eng>
vorgelegt von Patrick Münster
GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Mark-Matthias Bakran (Universität Bayreuth) ; Eberhard Ulrich Krafft (Siemens AG Nürnberg)
Dissertation Universität Rostock 2020
620
621.3
621.381528
621.3
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696
https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002696
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-8
https://d-nb.info/1293659932/34
Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT
Rostock : Universität Rostock, 2020
Druck-Ausgabe
(DE-627)1701684055
Münster, Patrick, 1987 -
urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-8
10.18453/rosdok_id00002696
1192379408
rda
DE-627
200619
1701104075
20251226T184310.0
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ger