Dämpfung der Schaltoszillationen von SiC-Hochstrom-MOSFET
Krünägel, Hannes
1989-
VerfasserIn
aut
Sawallich, Florian
AkademischeR BetreuerIn
dgs
Eckel, Hans-Günter
1963-
AkademischeR BetreuerIn
dgs
Universität Rostock
Grad-verleihende Institution
dgg
Universität Rostock
Fakultät für Informatik und Elektrotechnik
Grad-verleihende Institution
dgg
text
theses
Text
Hochschulschrift
gw
2020
monographic
XA-DE
Rostock
Universität
publisher
2020
Rostock
Universitätsbibliothek
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ger
1 Online-Ressource
In dieser Arbeit wird ein neuer Ansatz zur Dämpfung der parasitären Schwingungen an SiC-Hochstrom-MOSFETs vorgestellt. Der Dämpfungswiderstand wird dabei induktiv eingekoppelt. Dazu wird statt einem Dämpfungsglied mit Sekundärwicklung ein Dämpfungsglied bestehend nur aus einem Eisenpulverkern verwendet. Der Kern wird so gewählt, dass die Verluste bei Frequenz der Schaltschwingungen maximal sind. An einem 1200V-Modul wurde die Funktion dieses Ansatzes bei 200 A Laststrom nachgewiesen. Dieser einfache und günstige Ansatz erreicht eine gute Dämpfung bei moderater zusätzlicher Überspannung.<ger>
In this thesis a new approach to suppress the switching ringing of SiC-MOSFETs is proposed. The damping resistor is coupled inductively. Contrary to other approaches there is no secondary winding used, but an attenuator consisting of only an iron powder core. This core is designed to have maximum loss at the frequency of the ringing and is placed on the bus connections of the module. Experimental results using 1200V-SiC-MOSFET module at currents of up to 200 A validate this approach. It is a very simple and cheap approach with a good damping behaviour and relatively low additional overvoltage.<eng>
vorgelegt von Hannes Krünägel
GutachterInnen: Florian Sawallich (Institut für Elektrische Energietechnik) ; Hans-Günter Eckel (Institut für Elektrische Energietechnik)
Masterarbeit Universität Rostock 2020
621.3
http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649
https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002649
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002649-4
https://d-nb.info/1293668710/34
urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002649-4
10.18453/rosdok_id00002649
1148971316
rda
DE-627
200406
1694098249
20251226T182913.0
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(Revision 1.174 20250328)
ger