%0 Book
%T Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren
%A Wigger, Daniel
%D 2015
%G German
%F 842230424
%O vorgelegt von Daniel Wigger
%O Rostock, Univ., Fak. für Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2015
%X Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.
%L 621.381528
%9 theses
%9 Text
%9 Hochschulschrift
%U http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9
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