%0 Book
%T Ansteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter Spannung
%A Lexow, Daniel
%D 2025
%C Germany; Rostock
%C Universität Rostock
%G German
%F 1971947350
%O vorgelegt von Daniel Lexow
%O GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Institut für Elektrische Energietechnik, Universität Rostock) ; Albrecht Gensior (Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau)
%O Dissertation Universität Rostock 2025
%X In Spannungsklassen bis 6,5 kV ist der IGBT in Anwendungen wie Bahnantrieben, Windkraft und HVDC unverzichtbar. Der rückwärtsleitfähige (RC)-IGBT integriert die Diodenfunktion in den IGBT und erhöht so die Stromtragfähigkeit, Robustheit und Lebensdauer. Diese Arbeit untersucht RC-spezifische Herausforderungen wie stromrichtungsabhängige Ansteuerung und die Reduzierung von Schaltverlusten und zeigt auf, wie eine intelligente Ansteuerung den sicheren verlustoptimierten Betrieb sowie den effizienten Einsatz von RC-IGBTs in technischen Anwendungen ermöglichen kann.<ger>
%L 621.3
%9 theses
%9 Text
%9 Hochschulschrift
%R 10.18453/rosdok_id00005554
%U https://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554
%U https://doi.org/10.18453/rosdok_id00005554