%0 Book
%T Kurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter
%A Hammes, David
%D 2021
%C Rostock
%C Universität Rostock
%G German
%F 1787201392
%O vorgelegt von David Hammes
%O GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Steffen Bernet (Universität Dresden) ; Dietmar Krug (Siemens AG Industry)
%O Dissertation Universität Rostock 2022
%X Die Arbeit beschäftigt sich mit den auftretenden Halbleiterkurzschlüssen im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter. Sie haben den Nachteil, dass nach einem Durchbruch eines Halbleiters die Gefahr besteht, dass weitere Bauelemente zerstört werden und Folgeschäden entstehen. Daher hat die Arbeit die Aufgabe, alle möglichen Schaltkombinationen im Umrichter zur Erzeugung der drei Phasenausgangsspannungen zu untersuchen, welcher Durchbruch eines Halbleiters dabei eintreten kann, und welche Kurzschlüsse sich daraus schlussendlich ergeben werden.<ger>
%L 600
%9 theses
%9 Text
%9 Hochschulschrift
%R 10.18453/rosdok_id00003458
%U http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00003458
%U https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00003458-9
%U https://d-nb.info/1293536385/34
%U https://doi.org/10.18453/rosdok_id00003458