%0 Book
%T Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristik
%A Tran, Quang Tien
%D 2020
%C Rostock
%C Universität Rostock
%G German
%F 1755134258
%O vorgelegt von Quang Tien Tran
%O GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik) ; Nando Kaminski (Universität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente) ; Roman Baburske (Infineon Technologies AG, Neubiberg)
%O Dissertation Universität Rostock 2021
%X In dieser Dissertation wird ein neuartiges RC-IGBT-Konzept, bezeichnet als RC-GID-IGBT, vorgeschlagen. Diese neue RC-IGBT-Struktur ermöglicht den Betrieb mit einem konventionellen IGBT-Gate-Treiber und hat im Diodenmodus eine so geringe Reverse-Recovery-Ladung wie eine State-of-the-Art-Freilaufdiode. Dies wird durch die Einführung dedizierter Bereiche für den Diodenmodus sowie eines Hilfs-Schottky-Emitters in den IGBT-Bereich erreicht, ohne negative elektrische Auswirkungen auf den IGBT-Modus zu erzeugen. Dadurch kann der neuartige RC-GID-IGBT den thermischen Vorteil vollständig ausnutzen.<ger>
%L 530
%9 theses
%9 Text
%9 Hochschulschrift
%R 10.18453/rosdok_id00002994
%U http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994
%U https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-4
%U https://d-nb.info/1293663085/34
%U https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002994