%0 Book
%T Mechanismen und Ursachen von Stromfehlverteilungen zwischen parallelen Hochvolt-IGBT
%A Werner, Robin Marián
%D 2020
%C Rostock
%C Universität Rostock
%G German
%F 1727442873
%O vorgelegt von Robin Marián Werner
%O GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik) ; Tobias Reimann (TU Ilmenau, Institut für Elektrische Energie- und Steuerungstechnik) ; Jan Weigel (Siemens Mobility GmbH)
%O Dissertation Universität Rostock 2020
%X Zwischen parallelen IGBT treten Stromfehlverteilungen auf. Diese Fehlverteilungen haben einen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit der Parallelschaltung. In dieser Arbeit werden für verschiedene Situation Mechanismen beschrieben, die zu Stromfehlverteilungen führen. Die betrachteten Situationen sind der Durchlass bei statischem und veränderlichem Laststrom, das Ein- sowie Ausschalten der Halbleiter, die Kurzschlussfälle I und II und das Abschalten eines Kurzschlussstroms. Für diese Situationen werden, neben der Beschreibung der Mechanismen, untersucht, wodurch diese ausgelöst werden.<ger>
%L 621.3
%9 theses
%9 Text
%9 Hochschulschrift
%R 10.18453/rosdok_id00002730
%U http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002730
%U https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002730-6
%U https://d-nb.info/1293660388/34
%U https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002730