%0 Book
%T Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT
%A Münster, Patrick
%D 2019
%C Rostock
%C Universität Rostock
%G German
%F 1701104075
%O vorgelegt von Patrick Münster
%O GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Mark-Matthias Bakran (Universität Bayreuth) ; Eberhard Ulrich Krafft (Siemens AG Nürnberg)
%O Dissertation Universität Rostock 2020
%X Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.<ger>
%L 620
%9 theses
%9 Text
%9 Hochschulschrift
%R 10.18453/rosdok_id00002696
%U http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696
%U https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-8
%U https://d-nb.info/1293659932/34
%U https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002696