IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze Fuhrmann, Jan , 1986- (VerfasserIn) Eckel, Hans-Günter , 1963- (GutachterIn) Kaminski, Nando , 1968- (GutachterIn) Domes, Daniel , 1976- (GutachterIn) Universität Rostock (Grad-verleihende Institution) Universität Rostock Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (Grad verleihende Institution) Text theses Text Hochschulschrift 2016 2016 ger electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressource1 Online-Ressource In dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept für ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt, dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor ist, der den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt. In diesem IGBT treten verschiedene Kurzschlussfälle auf. Der Verlauf des Kurzschlusses und das Zusammenspiel der Leistungshalbleiter kann mit Hilfe eines Ersatzschaltbildes erklärt werden. Die Kurzschlussfallverläufe können anhand von Wirkungsketten dargestellt werden. Die Wirksamkeit dieser Fehlerstrombegrenzung wird an einem echten Ausfall demonstriert.<ger> vorgelegt von M.Sc. Jan Fuhrmann aus Rostock Dissertation Universität Rostock 2016 620 ZN 4850 53.51 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve/urn/urn:nbn:de:gbv:28-diss2016-0089-5 IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung für Hochvolt-Halbleiterversuchsplätze--(DE-627)863613969 urn:nbn:de:gbv:28-diss2016-0089-5 oclc: 956494564 ppn: (DE-627)86545759X