Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren Wigger, Daniel , 1978- Text theses Text Hochschulschrift 2015 2015 ger electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressourcetext/htmlapplication/pdfOnline-Ressource Ill., graph. Darst. Rückwärts leitfähige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalität von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur Prävention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs. Der Chipaufbau von rückwärts leitfähigen IGBT führt zu deutlichen Änderungen des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs. vorgelegt von Daniel Wigger Rostock, Univ., Fak. für Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2015 621.381528 621.3 ZN 4850 53.51 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9&pdf http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9 Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden rückwärts leitfähigen Insulated Gate Bipolar Transistoren--(DE-627)834940159 urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9 oclc: 935974319 ppn: (DE-627)842230424