Ein Beitrag zur Anwendung rückwärtsleitfähiger IGBT in der Antriebs- und Energietechnik Insulated Gate Bipolar Transistor Antriebstechnik Weiß, David , 1983- Text theses Text Hochschulschrift 2015 2015 ger electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressourcetext/htmlapplication/pdfOnline-Ressource Ill., graph. Darst. Rückwärtsleitfähige IGBT bieten durch die Integration von IGBT und Diode in einem Chip den Vorteil, dass neben einer Erhöhung der Leistungsdichte auch die Lastwechselbelastung gegenüber konventionellen IGBT/Dioden-Modulen reduziert wird. In dieser Arbeit wird das Verhalten eines rückwärtsleitfähigen IGBT in stationären Arbeitspunkten sowohl durch Berechnungen als auch Messungen diskutiert sowie in ausgewählten Anwendungen der Antriebs- und Energietechnik mit Hilfe von Simulationen untersucht. vorgelegt von David Weiß Rostock, Univ., Fak. für Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2015 621.381528 621.3 ZN 4850 53.51 52.56 55.34 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0181-7 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0181-7&pdf http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0181-7 Ein Beitrag zur Anwendung rückwärtsleitfähiger IGBT in der Antriebs- und Energietechnik--(DE-627)837731631 urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0181-7 oclc: 935974291 ppn: (DE-627)842229272