Maßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefekten Sämrow, Hagen , 1979- Text theses Text Hochschulschrift 2013 2013 ger electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressourcetext/htmlapplication/pdfOnline-Ressource Ill., graph. Darst. Die fortschreitende Skalierung führt zur Verbesserung dynamischer Parameter einer integrierten Schaltung, aber auch zu Verschleißerscheinungen, die die Lebensdauer dieser Schaltungen allein durch den Betrieb signifikant begrenzen. Die vorliegende Arbeit stellt neue Ansätze auf Gatterebene zur Erhöhung der Zuverlässigkeit für kombinatorische integrierte Schaltungen hinsichtlich Gateoxiddefekten vor, die sich in einen standardisierten CMOS-Designablauf integrieren lassen. Des Weiteren befasst sich diese Arbeit mit der Entwicklung eines Simulators zur Analyse der Auswirkungen von Gateoxiddefekten. vorgelegt von Hagen Sämrow Rostock, Univ., Fak. für Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2014 621.395 621.3 ZN 4960 53.51 54.52 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6&pdf http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6 Maßnahmen zur Steigerung der Zuverlässigkeit integrierter Schaltungen auf Gatterebene hinsichtlich Gateoxiddefekten--(DE-627)814426352 urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0029-6 oclc: 935808540 ppn: (DE-627)817992502