Untersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der Leistungselektronik Aluminium-Silizium-Barrieren Plappert, Mathias Karl Heinrich , 1985- Text theses Text Hochschulschrift 2014 2014 ger electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressourcetext/htmlapplication/pdfOnline-Ressource Ill., graph. Darst. Die vorliegende Arbeit untersucht WTi- und WTiN-Diffusionsbarrieren. Die werkstoffphysikalischen Eigenschaften werden in Abhängigkeit des Sputterprozesses umfangreich evaluiert. Dies geschieht sowohl experimentell, theoretisch als auch simulativ. Der Einfluss der Dünnschichtcharakteristika auf die Barrierenstabilität wird mit Hilfe von Beschleunigungstests und analytischen Methoden ermittelt. Die Integration von langzeitstabilen Diffusionsbarrieren auf Leistungshalbleitern ist ein weiterer Bestandteil dieser Arbeit. vorgelegt von Mathias Karl Heinrich Plappert Rostock, Univ., Fak. für Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2014 621.38152 621.3 530 ZN 4800 53.55 33.72 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0184-9 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0184-9&pdf http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0184-9 Untersuchungen an diffusionsstabilen Aluminium-Silizium Barrieren für die Halbleiter in der Leistungselektronik--(DE-627)798615125 urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0184-9 oclc: 935760125 ppn: (DE-627)80681988X