Ladungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTs Insulated gate bipolar transistors Schumann, Jörg , 1974- Text theses Text Hochschulschrift 2014 2014 ger electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressourcetext/htmlapplication/pdfOnline-Ressource Ill., graph. Darst. Das Ladungsträgerextraktionsmodell wird vorgestellt. Es ermöglicht Abschaltsimulationen von IGBTs. Die Ladungsträgerverteilung ist in einer Dimension entlang des IGBTs beschrieben und ermöglicht ein physikalisch korrektes Verhalten. Die nötigen Parameter können zerstörungslos ausgemessen werden. Besonders vorteilhaft ist, dass ein Abgleich des Simulationsmodells in Abhängigkeit der Betriebsbedingungen wie z.B. der Schaltgeschwindigkeit nicht erforderlich ist und kritsche Schaltbedingungen beherrscht werden können. So sind Ansteuerschaltungen für IGBTs kostengünstig entwickelbar. vorgelegt von Jörg Schumann Rostock, Univ., Fak. für Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2014 621.381528 621.3 ZN 4850 53.51 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3&pdf http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3 Ladungsträgerextraktionsmodell zur Simulation des Abschaltens von IGBTs--(DE-627)789690187 urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0131-3 oclc: 935601179 ppn: (DE-627)796664544