Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren Böhmer, Jürgen Walter , 1982- Text theses Text Hochschulschrift 2013 2013 ger electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressourcetext/htmlapplication/pdfOnline-Ressource graph. Darst. Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und Löcher zum Stromfluss bei. Auf Grund des Löcherstromes ist der Gradient der elektrischen Feldstärke höher als im stromlosen Zustand. Diese Gegebenheit führt zu unterschiedlichen Auswirkungen der Millerkapazität beim Abschalten von IGBT und MOSFET. Diese Arbeit zeigt, dass auftretende Effekte beim IGBT erläutert werden können, wenn anstelle eines Ersatzschaltbildes die direkt auftretenden Feldstärken betrachtet werden. Dazu kann das dreidimensionale Gebilde des IGBTs auf eine Dimension reduziert werden. vorgelegt von Jürgen Walter Böhmer Rostock, Univ., Fak. für Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2014 621.381528 621.3 ZN 4850 53.51 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4&pdf http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4 Wirkung des Ladungsträgerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren--(DE-627)78058211X urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4 oclc: 935379143 ppn: (DE-627)781882508