Ansteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter Spannung Insulated-Gate Bipolar Transistor Lexow, Daniel , 1987- (VerfasserIn) Eckel, Hans-Günter , 1963- (AkademischeR BetreuerIn) Gensior, Albrecht , 1979- (AkademischeR BetreuerIn) Universität Rostock (Grad-verleihende Institution) Universität Rostock Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (Grad-verleihende Institution) Text theses Text Hochschulschrift 2025 26.03.2025 ger eng electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressource1 Online-Ressource (XVIII, 143 Seiten) Illustrationen, Diagramme In Spannungsklassen bis 6,5 kV ist der IGBT in Anwendungen wie Bahnantrieben, Windkraft und HVDC unverzichtbar. Der rückwärtsleitfähige (RC)-IGBT integriert die Diodenfunktion in den IGBT und erhöht so die Stromtragfähigkeit, Robustheit und Lebensdauer. Diese Arbeit untersucht RC-spezifische Herausforderungen wie stromrichtungsabhängige Ansteuerung und die Reduzierung von Schaltverlusten und zeigt auf, wie eine intelligente Ansteuerung den sicheren verlustoptimierten Betrieb sowie den effizienten Einsatz von RC-IGBTs in technischen Anwendungen ermöglichen kann.<ger> Open Access Urheberrechtsschutz 1.0 vorgelegt von Daniel Lexow GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Institut für Elektrische Energietechnik, Universität Rostock) ; Albrecht Gensior (Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universität Ilmenau) Dissertation Universität Rostock 2025 621.3 https://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554 Ansteuerung rückwärts leitfähiger IGBT mit einer ausgeprägten Abhängigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter Spannung--(DE-627)197194839X urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00005554-2 doi: 10.18453/rosdok_id00005554 oclc: 1593094595 ppn: (DE-627)1971947350