Hybrider 1.7 kV-Leistungsschalter aus parallelen Silizium-IGBTs und Siliziumkarbid-MOSFETs Insulated Gate Bipolar Transistor Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Kayser, Felix , 1992- (VerfasserIn) Eckel, Hans-Günter , 1963- (AkademischeR BetreuerIn) Basler, Thomas , 1985- (AkademischeR BetreuerIn) Domes, Daniel , 1976- (AkademischeR BetreuerIn) Universität Rostock (Grad-verleihende Institution) Universität Rostock Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (Grad-verleihende Institution) Text theses Text Hochschulschrift 2025 8. Juni 2025 ger eng electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressourceapplication/pdf1 Online-Ressource (XXI, 227 Seiten) Illustrationen, Diagramme Ein hybrider 1.7 kV-Schalter aus parallel geschaltetem Si-IGBT und SiC-MOSFET wird experimentell untersucht. Die Schalteigenschaften werden in einem skalierten Messaufbau charakterisiert und mit reinen Si- und SiC-Schaltern unter identischer Methodik und Treiberauslegung verglichen. Unterschiedliche Pulsmuster beeinflussen Abschaltverhalten, Verluste, Oszillationen und dynamischen Avalanche. Berechnungen eines Wechselrichters zeigen vorteilhafte Betriebspunkte und teils höhere Ströme als reine SiC-Module. Eine Treiberschaltung für erhöhte Kurzschlussfestigkeit wird vorgestellt.<ger> A hybrid 1.7 kV switch consisting of a parallel-connected Si IGBT and SiC MOSFET is being investigated experimentally. The switching characteristics are characterized in a scaled measurement setup and compared with pure Si and SiC switches using identical methodology and boundaries for driver design. Different pulse patterns influence turn-off behavior, losses, oscillations, and dynamic avalanche. Calculations for an inverter show advantageous operating points and, in some cases, higher currents than pure SiC modules. A driver circuit for increased short-circuit resistance is presented.<eng> Open Access Namensnennung 4.0 International vorgelegt von Felix Kayser GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Thomas Basler (Technische Universität Chemnitz) ; Daniel Domes (Infineon Technologies AG) Dissertation Universität Rostock 2025 600 620 621.3 621.317 621.3 https://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005116 https://doi.org/10.18453/rosdok_id00005116 https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00005116-3 https://d-nb.info/1391763599/34 Hybrider 1.7 kV-Leistungsschalter aus parallelen Silizium-IGBTs und Siliziumkarbid-MOSFETs--(DE-627)1961352834 urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00005116-3 doi: 10.18453/rosdok_id00005116 oclc: 1573502097 ppn: (DE-627)1961345218