Die Kurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode insulated-gate bipolar transistor Hammes, David , 1989- (VerfasserIn) Eckel, Hans-Günter , 1963- (AkademischeR BetreuerIn) Bernet, Steffen , 1963- (AkademischeR BetreuerIn) Krug, Dietmar , 1974- (AkademischeR BetreuerIn) Universität Rostock (Grad-verleihende Institution) Universität Rostock Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (Grad-verleihende Institution) Text theses Text Hochschulschrift 2021 2021 ger electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressource1 Online-Ressource Die Arbeit beschäftigt sich mit den auftretenden Halbleiterkurzschlüssen im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter. Sie haben den Nachteil, dass nach einem Durchbruch eines Halbleiters die Gefahr besteht, dass weitere Bauelemente zerstört werden und Folgeschäden entstehen. Daher hat die Arbeit die Aufgabe, alle möglichen Schaltkombinationen im Umrichter zur Erzeugung der drei Phasenausgangsspannungen zu untersuchen, welcher Durchbruch eines Halbleiters dabei eintreten kann, und welche Kurzschlüsse sich daraus schlussendlich ergeben werden.<ger> The work deals with semiconductor short circuits occurring in the three-level Active-Neutral-Point-Clamped converter. They have the disadvantage that after a breakdown of a semiconductor, there is the danger that further components are destroyed, and consequential damage occurs. Therefore, the work has the task of investigating all possible switching combinations in the converter to generate the three-phase output voltages, which breakdown of a semiconductor can occur, and which short circuits will finally result from it.<eng> vorgelegt von David Hammes GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Steffen Bernet (Universität Dresden) ; Dietmar Krug (Siemens AG Industry) Dissertation Universität Rostock 2022 600 620 621.3 621.317 621.3 53.51 http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00003458 https://doi.org/10.18453/rosdok_id00003458 https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00003458-9 https://d-nb.info/1293536385/34 Die Kurzschlüsse von IGBT und Diode im Active-Neutral-Point-Clamped-Dreipunktumrichter--(DE-627)1787367967 urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00003458-9 doi: 10.18453/rosdok_id00003458 oclc: 1293655228 ppn: (DE-627)1787201392