Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristik Insulated-Gate Bipolar Transistor Tran, Quang Tien , 1984- (VerfasserIn) Eckel, Hans-Günter , 1963- (AkademischeR BetreuerIn) Kaminski, Nando , 1968- (AkademischeR BetreuerIn) Baburske, Roman , 1980- (AkademischeR BetreuerIn) Universität Rostock (Grad-verleihende Institution) Universität Rostock Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (Grad-verleihende Institution) Text theses Text Hochschulschrift 2020 2020 ger electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressource1 Online-Ressource In dieser Dissertation wird ein neuartiges RC-IGBT-Konzept, bezeichnet als RC-GID-IGBT, vorgeschlagen. Diese neue RC-IGBT-Struktur ermöglicht den Betrieb mit einem konventionellen IGBT-Gate-Treiber und hat im Diodenmodus eine so geringe Reverse-Recovery-Ladung wie eine State-of-the-Art-Freilaufdiode. Dies wird durch die Einführung dedizierter Bereiche für den Diodenmodus sowie eines Hilfs-Schottky-Emitters in den IGBT-Bereich erreicht, ohne negative elektrische Auswirkungen auf den IGBT-Modus zu erzeugen. Dadurch kann der neuartige RC-GID-IGBT den thermischen Vorteil vollständig ausnutzen.<ger> In this dissertation, a novel Trench RC-IGBT concept, called RC-GID-IGBT, is proposed. This new RC-IGBT structure allows operation with a conventional IGBT gate drive and has reverse recovery charge in diode operating mode as low as a state-of-the-art freewheeling diodes. This is achieved by introducing dedicated areas for the diode operation as well as an auxiliary schottky emitter into the IGBT chip without generating negative electrical effects on the IGBT mode. As a result, the novel RC-GID-IGBT can take full advantage of the thermal benefit.<eng> vorgelegt von Quang Tien Tran GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock, Institut für Elektrische Energietechnik) ; Nando Kaminski (Universität Bremen, Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente) ; Roman Baburske (Infineon Technologies AG, Neubiberg) Dissertation Universität Rostock 2021 530 621.3 621.381528 621.3 53.30 53.35 53.51 http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994 https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002994 https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-4 https://d-nb.info/1293663085/34 Rückwärts leitfähiger IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabhängiger Diodencharakteristik--(DE-627)1755329032 urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-4 doi: 10.18453/rosdok_id00002994 oclc: 1246288101 ppn: (DE-627)1755134258