Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT Münster, Patrick , 1987- (VerfasserIn) Eckel, Hans-Günter , 1963- (AkademischeR BetreuerIn) Bakran, Mark-Matthias , 1968- (AkademischeR BetreuerIn) Krafft, Eberhard Ulrich , 1970- (AkademischeR BetreuerIn) Universität Rostock (Grad-verleihende Institution) Universität Rostock Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (Grad-verleihende Institution) Text theses Text Hochschulschrift 2019 2019 ger eng electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressource1 Online-Ressource Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabhängige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders während des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt führt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen Änderung der Ladungsträgerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.<ger> The major topics of this thesis are investigations regarding the Self Turn-on. The dynamic feedback between the power- and the control-path of an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) depends on the collector-current and influences the switching and short-circuit behaviour. This is caused by an intrinsic controlled displacement current between the IGBT’s drift-region and its gate-junction. The physics behind this effect are based on a local change of the charge-carrier density in the drift-region below the gate-electrode.<eng> vorgelegt von Patrick Münster GutachterInnen: Hans-Günter Eckel (Universität Rostock) ; Mark-Matthias Bakran (Universität Bayreuth) ; Eberhard Ulrich Krafft (Siemens AG Nürnberg) Dissertation Universität Rostock 2020 620 621.3 621.381528 621.3 http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696 https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002696 https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-8 https://d-nb.info/1293659932/34 Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT--(DE-627)1701684055 urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-8 doi: 10.18453/rosdok_id00002696 oclc: 1192379408 ppn: (DE-627)1701104075