Analyse des Einflusses von rückwärts leitfähigen IGBTs auf die Leistungsfähigkeit und Lebensdauer von Dreipunktumrichtern Insulated-Gate Bipolar Transistors Gierschner, Sidney , 1984- (VerfasserIn) Eckel, Hans-Günter , 1963- (GutachterIn) Bernet, Steffen , 1963- (GutachterIn) Hiller, Marc (GutachterIn) Universität Rostock (Grad verleihende Institution) Universität Rostock Fakultät für Informatik und Elektrotechnik (Grad verleihende Institution) Text theses Text Hochschulschrift 2017 2017 ger electronic resourceremoteComputermedienOnline-Ressource1 Online-Ressource Im Rahmen dieser Arbeit wird der Einsatz eines neuartigen Leistungshalbleiters für den Mittel- und Hochspannungsbereich und die sich daraus ergebenden Vor- und Nachteile analysiert. Hierbei liegt der Fokus auf der Leistungsfähigkeit und der Lebensdauer des untersuchten Leistungshalbleiters in verschiedenen Dreipunktumrichtertopologien.<ger> vorgelegt von: Dipl.-Ing. Sidney Gierschner Dissertation Universität Rostock 2017 620 ZN 4850 ZN 8350 53.35 53.51 http://rosdok.uni-rostock.de/resolve/urn/urn:nbn:de:gbv:28-diss2017-0135-2 Analyse des Einflusses von rückwärts leitfähigen IGBTs auf die Leistungsfähigkeit und Lebensdauer von Dreipunktumrichtern--(DE-627)100194335X urn:nbn:de:gbv:28-diss2017-0135-2 oclc: 1010494686 ppn: (DE-627)1002874467