@Book{86545759X,
author="Fuhrmann, Jan",
title="IGBT-Kurzschlussverhalten am Beispiel einer schnellen Fehlerstrombegrenzung f{\"u}r Hochvolt-Halbleiterversuchspl{\"a}tze",
year="2016",
address="Rostock",
abstract="In dieser Arbeit wird ein Schutzkonzept f{\"u}r ein Hochvolt-Halbleiterversuchsplatz vorgestellt, dessen zentrales Element ein serieller Insulated-Gate Bipolar Transistor ist, der den Zwischenkreis im Fehlerfall von der Fehlerstelle trennt. In diesem IGBT treten verschiedene Kurzschlussf{\"a}lle auf. Der Verlauf des Kurzschlusses und das Zusammenspiel der Leistungshalbleiter kann mit Hilfe eines Ersatzschaltbildes erkl{\"a}rt werden. Die Kurzschlussfallverl{\"a}ufe k{\"o}nnen anhand von Wirkungsketten dargestellt werden. Die Wirksamkeit dieser Fehlerstrombegrenzung wird an einem echten Ausfall demonstriert.<ger>",
school="Universit{\"a}t Rostock",
note="vorgelegt von M.Sc. Jan Fuhrmann aus Rostock",
note="Dissertation Universit{\"a}t Rostock 2016",
url="http://rosdok.uni-rostock.de/resolve/urn/urn:nbn:de:gbv:28-diss2016-0089-5",
language="German"
}