@Book{842230424,
author="Wigger, Daniel",
title="Beitrag zur Analyse des elektrischen Verhaltens von hochsperrenden r{\"u}ckw{\"a}rts leitf{\"a}higen Insulated Gate Bipolar Transistoren",
year="2015",
abstract="R{\"u}ckw{\"a}rts leitf{\"a}hige IGBTs bilden einen neuen Typ von Leistungshalbleitern, welche die Funktionalit{\"a}t von IGBT und antiparallelen Dioden in einem Chip integrieren. Zur Pr{\"a}vention eines Snapbacks der Durchlassspannung besteht der Bi-mode Insulated Gate Bipolar Transistor aus einer Parallelschaltung eines konventionellen IGBTs und eines RC-IGBTs. Der Chipaufbau von r{\"u}ckw{\"a}rts leitf{\"a}higen IGBT f{\"u}hrt zu deutlichen {\"A}nderungen des elektrischen Verhaltens im Vergleich zu konventinellen IGBTs.",
note="vorgelegt von Daniel Wigger",
note="Rostock, Univ., Fak. f{\"u}r Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2015",
url="http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9",
url="http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9&pdf",
url="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2015-0159-9",
language="German"
}