@Book{806821280,
author="Appel, Tobias Gerhard",
title="Beitrag zur Analyse des Schaltverhaltens unipolarer SiC-Transistoren",
year="2014",
abstract="Das Reverse Recovery der Body-Diode eines unipolaren Transistors beim Schalten induktiver Lasten zeigt eine typische Ladung. Sie kann durch Analyse verschiedener Experimente mit dem Halbleiter in drei Arten unterteilt werden. SiC-Halbleiter weisen im Vergleich zu Si-Halbleitern eine um eine Gr{\"o}{\ss}enordnung h{\"o}here Sperrschichtkapazit{\"a}t auf, da die Feldst{\"a}rken im Halbleiter in gleichem Ma{\ss}e gr{\"o}{\ss}er sind. Hierdurch wird beim Reverse Recovery eine bemerkenswerte Menge an Ladung messbar. Anhand von Messungen und Vergleichen ist dies deutlich zu erkennen. Dies wirkt sich auf das Schaltverhalten.",
note="vorgelegt von Tobias Gerhard Appel",
note="Rostock, Univ., Fak. f{\"u}r Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2014",
url="http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5",
url="http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5&pdf",
url="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0185-5",
language="German"
}