@Book{781882508,
author="B{\"o}hmer, J{\"u}rgen Walter",
title="Wirkung des Ladungstr{\"a}gerplasmas auf das Abschaltverhalten von Insulated Gate Bipolar Transistoren",
year="2013",
abstract="Im eingeschalteten Zustand tragen beim IGBT, anders als beim MOSFET, Elektronen und L{\"o}cher zum Stromfluss bei. Auf Grund des L{\"o}cherstromes ist der Gradient der elektrischen Feldst{\"a}rke h{\"o}her als im stromlosen Zustand. Diese Gegebenheit f{\"u}hrt zu unterschiedlichen Auswirkungen der Millerkapazit{\"a}t beim Abschalten von IGBT und MOSFET. Diese Arbeit zeigt, dass auftretende Effekte beim IGBT erl{\"a}utert werden k{\"o}nnen, wenn anstelle eines Ersatzschaltbildes die direkt auftretenden Feldst{\"a}rken betrachtet werden. Dazu kann das dreidimensionale Gebilde des IGBTs auf eine Dimension reduziert werden.",
note="vorgelegt von J{\"u}rgen Walter B{\"o}hmer",
note="Rostock, Univ., Fak. f{\"u}r Informatik und Elektrotechnik, Diss., 2014",
url="http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4",
url="http://rosdok.uni-rostock.de/resolve?urn=urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4&pdf",
url="http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:gbv:28-diss2014-0066-4",
language="German"
}