@Book{1971947350,
author="Lexow, Daniel",
title="Ansteuerung r{\"u}ckw{\"a}rts leitf{\"a}higer IGBT mit einer ausgepr{\"a}gten Abh{\"a}ngigkeit des Diodenverhaltens von der Gate-Emitter Spannung",
year="2025",
address="Germany; Rostock",
abstract="In Spannungsklassen bis 6,5 kV ist der IGBT in Anwendungen wie Bahnantrieben, Windkraft und HVDC unverzichtbar. Der r{\"u}ckw{\"a}rtsleitf{\"a}hige (RC)-IGBT integriert die Diodenfunktion in den IGBT und erh{\"o}ht so die Stromtragf{\"a}higkeit, Robustheit und Lebensdauer. Diese Arbeit untersucht RC-spezifische Herausforderungen wie stromrichtungsabh{\"a}ngige Ansteuerung und die Reduzierung von Schaltverlusten und zeigt auf, wie eine intelligente Ansteuerung den sicheren verlustoptimierten Betrieb sowie den effizienten Einsatz von RC-IGBTs in technischen Anwendungen erm{\"o}glichen kann.<ger>",
school="Universit{\"a}t Rostock",
note="vorgelegt von Daniel Lexow",
note="GutachterInnen: Hans-G{\"u}nter Eckel (Institut f{\"u}r Elektrische Energietechnik, Universit{\"a}t Rostock) ; Albrecht Gensior (Fachgebiet Leistungselektronik und Steuerungen in der Elektroenergietechnik, Technische Universit{\"a}t Ilmenau)",
note="Dissertation Universit{\"a}t Rostock 2025",
doi="10.18453/rosdok_id00005554",
url="https://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00005554",
url="https://doi.org/10.18453/rosdok_id00005554",
language="German"
}