@Book{1755134258,
author="Tran, Quang Tien",
title="R{\"u}ckw{\"a}rts leitf{\"a}higer IGBT mit nahezu von der Gate-Emitter-Spannung unabh{\"a}ngiger Diodencharakteristik",
year="2020",
address="Rostock",
abstract="In dieser Dissertation wird ein neuartiges RC-IGBT-Konzept, bezeichnet als RC-GID-IGBT, vorgeschlagen. Diese neue RC-IGBT-Struktur erm{\"o}glicht den Betrieb mit einem konventionellen IGBT-Gate-Treiber und hat im Diodenmodus eine so geringe Reverse-Recovery-Ladung wie eine State-of-the-Art-Freilaufdiode. Dies wird durch die Einf{\"u}hrung dedizierter Bereiche f{\"u}r den Diodenmodus sowie eines Hilfs-Schottky-Emitters in den IGBT-Bereich erreicht, ohne negative elektrische Auswirkungen auf den IGBT-Modus zu erzeugen. Dadurch kann der neuartige RC-GID-IGBT den thermischen Vorteil vollst{\"a}ndig ausnutzen.<ger>",
school="Universit{\"a}t Rostock",
note="vorgelegt von Quang Tien Tran",
note="GutachterInnen: Hans-G{\"u}nter Eckel (Universit{\"a}t Rostock, Institut f{\"u}r Elektrische Energietechnik) ; Nando Kaminski (Universit{\"a}t Bremen, Institut f{\"u}r elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente) ; Roman Baburske (Infineon Technologies AG, Neubiberg)",
note="Dissertation Universit{\"a}t Rostock 2021",
doi="10.18453/rosdok_id00002994",
url="http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002994",
url="https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002994-4",
url="https://d-nb.info/1293663085/34",
url="https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002994",
language="German"
}