@Book{1701104075,
author="M{\"u}nster, Patrick",
title="Einfluss des Self Turn-ON auf das Schalt- und Kurzschlussverhalten von IGBT",
year="2019",
address="Rostock",
abstract="Das Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung des Self Turn-on als dynamische kollektorstromabh{\"a}ngige Wechselwirkung zwischen dem Leistungs- und dem Steuerkreis eines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Diese tritt besonders w{\"a}hrend des Schalt- und Kurzschlussverhaltens in Erscheinung. Der Effekt f{\"u}hrt zu einem intrinsisch gesteuerten Verschiebungsstrom zwischen dem Drift-Gebiet in den Gate-Knoten des IGBT, welcher auf einer lokalen {\"A}nderung der Ladungstr{\"a}gerkonzentration im Drift-Gebiet unterhalb der Gate-Elektrode basiert.<ger>",
school="Universit{\"a}t Rostock",
note="vorgelegt von Patrick M{\"u}nster",
note="GutachterInnen: Hans-G{\"u}nter Eckel (Universit{\"a}t Rostock) ; Mark-Matthias Bakran (Universit{\"a}t Bayreuth) ; Eberhard Ulrich Krafft (Siemens AG N{\"u}rnberg)",
note="Dissertation Universit{\"a}t Rostock 2020",
doi="10.18453/rosdok_id00002696",
url="http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002696",
url="https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002696-8",
url="https://d-nb.info/1293659932/34",
url="https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002696",
language="German"
}