@Book{1694098249,
author="Kr{\"u}n{\"a}gel, Hannes",
title="D{\"a}mpfung der Schaltoszillationen von SiC-Hochstrom-MOSFET",
year="2020",
address="Rostock",
abstract="In dieser Arbeit wird ein neuer Ansatz zur D{\"a}mpfung der parasit{\"a}ren Schwingungen an SiC-Hochstrom-MOSFETs vorgestellt. Der D{\"a}mpfungswiderstand wird dabei induktiv eingekoppelt. Dazu wird statt einem D{\"a}mpfungsglied mit Sekund{\"a}rwicklung ein D{\"a}mpfungsglied bestehend nur aus einem Eisenpulverkern verwendet. Der Kern wird so gew{\"a}hlt, dass die Verluste bei Frequenz der Schaltschwingungen maximal sind. An einem 1200V-Modul wurde die Funktion dieses Ansatzes bei 200 A Laststrom nachgewiesen. Dieser einfache und g{\"u}nstige Ansatz erreicht eine gute D{\"a}mpfung bei moderater zus{\"a}tzlicher {\"U}berspannung.<ger>",
school="Universit{\"a}t Rostock",
note="vorgelegt von Hannes Kr{\"u}n{\"a}gel",
note="GutachterInnen: Florian Sawallich (Institut f{\"u}r Elektrische Energietechnik) ; Hans-G{\"u}nter Eckel (Institut f{\"u}r Elektrische Energietechnik)",
note="Masterarbeit Universit{\"a}t Rostock 2020",
doi="10.18453/rosdok_id00002649",
url="http://purl.uni-rostock.de/rosdok/id00002649",
url="https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:gbv:28-rosdok_id00002649-4",
url="https://d-nb.info/1293668710/34",
url="https://doi.org/10.18453/rosdok_id00002649",
language="German"
}